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参数目录38471
> IRF7460TRPBF MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
型号:
IRF7460TRPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7460TRPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装
4,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2050pF @ 10V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRF7460PBFTR
IRF7460TRPBF-ND
IRF7460TRPBFTR-ND
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